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Nota 

Beneq TFS-500: Sistema versátil de Deposición de Capa Atómica.

La siguiente nota de aplicación demuestra cómo se puede obtener sustratos metálicos recubiertos de bajo costo mediante la deposición de soluciones químicas de compuestos organometálicos de los metales precursores.

Con el tiempo se han desarrollado diferentes técnicas para llevar a cabo recubrimientos de superfices, diferenciándose en el medio físico que se lleva a cabo la deposición (líquido o gaseoso) y por quién está controlado el proceso (la fuente de precursores o la superficie a recubrir). Entre las mismas cabe destacar a las que se basan en i) procesos en fase líquida (principalmente mediante la téncian de sol-gel); ii) procesos en fase gaseosa controlodo por la fuente (por ejemplo PVD, deposición física de gases); iii) procesos en fase gaseosa semi controlados por la superfice (por ejemplo CVD, deposición química de gases) y iv) procesos en fase gaseosa controlados por la superficie (por ejemplo ALD, deposición de capas atómicas). Más allá de cómo se llava a cabo cada una, el grosor, su homogeneidad y los requerimientos del objeto (forma, disposición, etc.) son marcadamente diferentes.

Proceso de Fase Líquida (sol-gel)

En ALD, tras la descomposición térmica en atmósfera controlada se consigue depositar capas homogeneas de alta planaridad. Este tipo de metodologías químicas de representan una alternativa a métodos de deposición física (PVD) tales como 'sputtering magnetronic', deposición catódica de arco, deposición con láser pulsado (PLD) o con haz de electrones, así como a otras técnicas químicas como la deposición química de gases (CVD) .

Proceso en fase gaseosa controlodo por la fuente  (PVD)

Proceso en fase gaseosa semicontrolodo por la superficie

Las ventajas que ofrece residen en que no se precisa el uso de equipos de vacío , no demandan grandes cantidades de energía y la gran versatilidad sobre las características de la capa a partir del control de la solución química precursora.

El proceso de deposición de capa atómica es lo suficientemente versátil como para ofrecer la posibilidad de nanoestructurar la superficie de los sustratos por 'dewetting' de la capa depositada o la posibilidad de preparar nanocompuestos por segregación espontánea de fases secundarias que pueden conducir a nuevas funcionalidades.

Proceso en fase gaseosa controlodo por la superficie (ALD)

A continuación algunos ejemplos de materiales que pueden ser depositados mediante ALD:

  • Óxidos (Al3O3,TiO2, ZrO2, Y2O3)

  • Nitridos (AlN,TiN, WxN

  • Sulfidos (ZnS, CaS)

  • Materiales dopados (ZnS:Mn, ZnO:Al)

  • Polímeros (Poliamidas)

  • Films delgados biocompatibles (hidroxiapatita)

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Ejemplo de aplicaciones en Circuitos Integrados:

  • Óxido de compuertas

  • Capas protectoras

  • Capas de base

  • Electrodos de compuertas

Otros ejemplo de aplicaciones:

  • Sensores

  • Pantallas Planas

  • Paneles solares

  • Cabezales magnéticos

  • Memorias

  • Celdas de Combustible

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Sistema de cobertura nSilver® - Protección invisible para la plata

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Características

  • Procesos Robustos

  • Mínimos costos materiales

  • 2000 piezas por tanda

  • 3horas por tanda

ALD en la producción

  • Ténica ya probada en ambientes de producción y con productos ya liberados al mercado.

  • La química utilizada es reconocida y está disponible.

  • Tecnología robusta .

  • No se necesitan operarios altamente educados.

  • Costos razonables de producción.

  • Se le puede sumar un reactor TFS 500 a cada aplicación.

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